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Di seguito un'esperienza di laboratorio per la determinazione della caratteristica tensione-corrente di un diodo al silicio.
L'esempio è tratto dal libro Applied electronic engineering with Mathematica
Noi l'abbiamo approfondito, modificando e performando il codice Mathematica.
(altro…)
Ricordiamo che l'intensità di corrente i in un diodo è data da
dove i0 è la corrente di saturazione inversa, VT una grandezza con le dimensioni di una differenza di potenziale dipendente dalla temperatura assoluta T, e infine η è un coefficiente adimensionale dipendente dal materiale semiconduttore con cui è costruito il diodo. Adimensionalizzando le varie grandezze si perviene a
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