Riprendiamo l'equazione che restituisce la corrente di collettore in un transistor pnp
da cui vediamo che IC non dipende da VCB. Ciò non deve sorprendere perché la giunzione JC è polarizzata inversamente. Per ricavare un'espressone analitica di IC indipendentemente dallo stato di polarizzazione di JC, non dobbiamo fare altro che scrivere al posto di IC0 l'espressione della caratteristica tensione-corrente di una giunzione pn. Dobbiamo cioè eseguire la sostituzione:
ove il segno (-) si giustifica considerando come abbiamo orientato IC0, mentre VC è la d.d.p. tra il collettore C e la giunzione JC. Ne segue
che si chiama equazione generalizzata per il transistor. Tale equazione esibisce un'analogia rimarchevole con quella che definisce la caratteristica tensione - corrente di un fotodiodo a giunzione . Ricordiamo brevemente che tale device è costituito da una giunzione pn inversamente polarizzata e illuminata da un flusso di fotoni:
Macroscopicamente, ciò si traduce in un incremento della corrente di saturazione inversa I0
dove IS misura l'incremento della corrente di saturazione inversa, dovuto al termine di sorgente (fotoni). L'energia di questi ultimi
favorisce la rottura dei legami covalenti. Più precisamente, determina una iniezione di portatori minoritari. Nell'equazione del fotodiodo V > 0 definisce uno stato di polarizzazione diretta e viceversa. Quindi, per polarizzazione inversa è I > I0. L'analogia della caratteristica tensione - corrente del fotodiodo con l'equazione generalizzata del transistor è evidente: nel fotodiodo il termine di eccitazione è la corrente IS innescata dai fotoni; nel transistor, invece, il termine di eccitazione è la corrente IE che circola nell'emettitore.