L'articolo prenderà le mosse dalla descrizione di una giunzione pn con controllo di carica. In sostanza, la giunzione viene studiata da un punto di vista "capacitivo". Più precisamente, si comporta alla stregua di un condensatore la cui capacità varia in funzione della differenza di potenziale V applicata. E quando quest'ultima inverte il proprio segno, la capacità cambia bruscamente (per V < 0 predomina la cosiddetta "capacità di transizione"; viceversa si ha la "capacità di diffusione").
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Ciò che abbiamo visto finora costituisce la cosiddetta rappresentazione a base comune di un transistor pnp/npn. Tale locuzione si riferisce alla circostanza secondo cui le reti di ingresso e di uscita (i.e. emettitore e collettore) condividono il terminale di base. Riguardo alla convenzione dei segni di correnti e tensioni, nel caso specifico di un transistore pnp guardiamo lo schema di fig. 1a. Assumendo convenzionalmente IE > 0, si ha necessariamente IC, IB < 0. Se la giunzione JE} è polarizzata direttamente, è VEB > 0. Idem per la giunzione JC per cui nel caso di fig. 1a è VCB < 0.
Nel caso di un transistor npn si procede per dualità, cioè invertendo i segni di correnti e tensioni.
Caratteristiche statiche di uscita e di ingresso
Riprendiamo l'equazione generalizzata per il transistor (sempre nel caso pnp)
che applicata alla schema di fig. 1a implica VC=VBC < 0. Ne segue
avendo assunto VCB,IE come variabili indipendenti. Più specificatamente, assumendo la corrente di emettitore IE come parametro, si ha
per cui ci aspettiamo una famiglia di salite esponenziali rovesciate, come illustrato in fig. 1b. Le curve ottenute costituiscono le caratteristiche statiche di uscita.
Di contro, le caratteristiche statiche di ingresso coinvolgono la differenza di potenziale VEB tra emettitore e base, che costituisce appunto l'ingresso, in funzione della tensione tra collettore e base, e della corrente di emettitore, cioè delle stesse variabili indipendenti considerate in precedenza. Scriviamo
Trattando VCB alla stregua di un parametro, si ottiene una famiglia di curve (i.e. le caratteristiche statiche di ingresso). Per poterle graficare consideriamo il circuito equivalente a un transistor pnp può essere simulato immaginando due giunzioni pn in contrapposizione (cioè il catodo della prima è collegato in serie all'anodo della seconda), come illustrato in fig.
Nella rappresentazione a base comune, Din è nello stato di polarizzazione diretta per cui con ovvio significato dei simboli:
da cui l'andamento plottato in figura dove notiamo la presenza di una tensione di offset esattamente come per il diodo a giunzione:
Congettura di Riemann
Trasformata discreta di Fourier
Trasformata di Fourier nel senso delle distribuzioni
Trasformata di Fourier 
Infinitesimi ed infiniti
Limiti notevoli
Punti di discontinuità
Misura di Peano Jordan
Eserciziario sugli integrali
Differenziabilità 
Differenziabilità (2)
Esercizi sui limiti
Appunti sulle derivate
Studio della funzione
Esercizi sugli integrali indefiniti
Algebra lineare
Analisi Matematica 2
Analisi funzionale
Entanglement quantistico
Spazio complesso
Biliardo di Novikov
Intro alla Meccanica quantistica
Entanglement Quantistico
